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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (177 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

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Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX

descrizione

Numero del pezzo:	BUK9K32-100EX	Produttore:	Nexperia USA Inc.
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	TrenchMOS™

Specifiche di BUK9K32-100EX

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	26A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	31 mOhm @ 5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2.1V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	27.3nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	3168pF @ 25V
Massimo elettrico	64W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	SOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto del dispositivo del fornitore	LFPAK56D
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BUK9K32-100EX

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K32-100EX 0

Prodotto Tag:

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