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MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B

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MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B

MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B
MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B

Grande immagine :  MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B

descrizione
Numero del pezzo: MT29F512G08CMCBBH7-6C: B Produttore: Micron Technology Inc.
Descrizione: FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA DI IC Categoria: Memoria
Famiglia: Memoria

MT29F512G08CMCBBH7-6C: Specifiche di B

Stato della parte Obsoleto
Formato di memoria FLASH
Tipo di memoria FLASH - NAND
Capacità di memoria 512G (64G x 8)
Velocità 167MHz
Interfaccia Parallelo
Tensione - rifornimento 2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TUM)
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

MT29F512G08CMCBBH7-6C: Imballaggio di B

Rilevazione

MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B 0MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B 1MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B 2MT29F512G08CMCBBH7-6C: Chip di IC di memoria di B 3

Prodotto Tag:

Gestione IC di potere di PMIC,

Chip di memoria di Dram,

Chip di memoria di Eeprom

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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