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Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR

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Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR

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Grande immagine :  Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR

descrizione
Numero del pezzo: JS28F256M29EBHB TR Produttore: Micron Technology Inc.
Descrizione: FLASH DI IC NÉ 256MBIT Categoria: Memoria
Famiglia: Memoria

Specifiche di JS28F256M29EBHB TR

Stato della parte Attivo
Formato di memoria FLASH
Tipo di memoria FLASH - NÉ
Capacità di memoria 256M (32M x 8, 16M x 16)
Velocità 110ns
Interfaccia Parallelo
Tensione - rifornimento 2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TUM)
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di JS28F256M29EBHB TR

Rilevazione

Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR 0Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR 1Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR 2Chip di IC di memoria di JS28F256M29EBHB TR 3

Prodotto Tag:

Gestione IC di potere di PMIC,

Chip di memoria di Dram,

Chip di memoria di Eeprom

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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