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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGS4640DPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRGS4640DPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: DIODO 600V 40A D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRGS4640DPBF

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 65A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 72A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.9V @ 15V, 24A
Massimo elettrico 250W
Energia di commutazione 115µJ (sopra), 600µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 75nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 41ns/104ns
Condizione di prova 400V, 24A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 89ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRGS4640DPBF

Rilevazione

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