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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXGB75N60BD1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXGB75N60BD1 Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 600V 120A 360W PLUS264 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: HiPerFAST™

Specifiche IXGB75N60BD1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 120A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 300A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.3V @ 15V, 75A
Massimo elettrico 360W
Energia di commutazione 3.3mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 248nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 62ns/220ns
Condizione di prova 480V, 75A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 50ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore PLUS264™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IXGB75N60BD1

Rilevazione

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