|
Dettagli:
|
| Numero del pezzo: | GT60N321 (Q) | Produttore: | Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba |
|---|---|---|---|
| Descrizione: | LH di IGBT 1000V 60A 170W TO3P | Categoria: | Transistor - IGBTs - singoli |
| Famiglia: | Transistor - IGBTs - singoli |
| Stato della parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo di IGBT | - |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1000V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 60A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.8V @ 15V, 60A |
| Massimo elettrico | 170W |
| Energia di commutazione | - |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | - |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 330ns/700ns |
| Condizione di prova | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
| Pacchetto/caso | TO-3PL |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-3P (LH) |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Persona di contatto: Darek
Telefono: +8615017926135
