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GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

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GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

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Grande immagine :  GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

descrizione
Numero del pezzo: GT50J121 (Q) Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: LH di IGBT 600V 50A 240W TO3P Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

GT50J121(Q) Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Power - Max 240W
Switching Energy 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns
Test Condition 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3PL
Supplier Device Package TO-3P(LH)
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

GT50J121(Q) Packaging

Detection

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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