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GT8G133 (TE12L, Q) transistor IGBTs del modulo di potere di IGBT singolo

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GT8G133 (TE12L, Q) transistor IGBTs del modulo di potere di IGBT singolo

GT8G133 (TE12L, Q) transistor IGBTs del modulo di potere di IGBT singolo
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Grande immagine :  GT8G133 (TE12L, Q) transistor IGBTs del modulo di potere di IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

GT8G133 (TE12L, Q) transistor IGBTs del modulo di potere di IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: GT8G133 (TE12L, Q) Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: IGBT 400V 600MW 8TSSOP Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

GT8G133 (TE12L, Q) specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 400V
Corrente - collettore (CI) (massimo) -
Corrente - collettore pulsato (Icm) 150A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.9V @ 4V, 150A
Massimo elettrico 600mW
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone -
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 1.7µs/2µs
Condizione di prova -
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-TSSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

GT8G133 (TE12L, Q) imballare

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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