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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB18N40LZ-1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGB18N40LZ-1 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 420V 30A 150W I2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: PowerMESH™

Specifiche STGB18N40LZ-1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 420V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 30A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 40A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.7V @ 4.5V, 10A
Massimo elettrico 150W
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Logica
Tassa del portone 29nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 650ns/13.5µs
Condizione di prova 300V, 10A, 5V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-262-3 lungamente conduce, io ² Pak, TO-262AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore I2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STGB18N40LZ-1

Rilevazione

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