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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4PC50F-EPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRG4PC50F-EPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 70A 200W TO247AD Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRG4PC50F-EPBF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 70A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 280A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.6V @ 15V, 39A
Massimo elettrico 200W
Energia di commutazione 370µJ (sopra), 2.1mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 190nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 31ns/240ns
Condizione di prova 480V, 39A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247AD
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRG4PC50F-EPBF

Rilevazione

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