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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT36GA60BD15 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT36GA60BD15 IGBT singolo

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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT36GA60BD15 IGBT singolo

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT36GA60BD15 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT36GA60BD15 Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 600V 65A 290W TO-247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: MOS 8™ DI POTERE

Specifiche APT36GA60BD15

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Pinta
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 65A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 109A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 290W
Energia di commutazione 307µJ (sopra), 254µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 18nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 16ns/122ns
Condizione di prova 400V, 20A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247 [B]
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare APT36GA60BD15

Rilevazione

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