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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGF10NB60SD IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGF10NB60SD Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 23A 25W TO220FP Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: PowerMESH™

Specifiche di STGF10NB60SD

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 23A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 80A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.75V @ 15V, 10A
Massimo elettrico 25W
Energia di commutazione 600µJ (sopra), 5mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 33nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 700ns/1.2µs
Condizione di prova 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 37ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso Pacchetto completo TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220FP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGF10NB60SD

Rilevazione

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