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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXBT20N300 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXBT20N300 Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 3000V 50A 250W TO268 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: BIMOSFET™

Specifiche IXBT20N300

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 3000V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 50A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 140A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.2V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 250W
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 105nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C -
Condizione di prova -
Tempo di recupero inverso (trr) 1.35µs
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-268-3, ³ Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-268AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-268
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IXBT20N300

Rilevazione

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