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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT35GP120B2DQ2G IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT35GP120B2DQ2G Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 96A 543W TMAX Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: MOS 7® DI POTERE

Specifiche di APT35GP120B2DQ2G

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Pinta
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 96A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 140A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.9V @ 15V, 35A
Massimo elettrico 543W
Energia di commutazione 750µJ (sopra), 680µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 150nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 16ns/95ns
Condizione di prova 600V, 35A, 4,3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso Variante TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT35GP120B2DQ2G

Rilevazione

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