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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW08T120FKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IKW08T120FKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 16A 70W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche IKW08T120FKSA1

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT, fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 16A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 24A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.2V @ 15V, 8A
Massimo elettrico 70W
Energia di commutazione 1.37mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 53nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 40ns/450ns
Condizione di prova 600V, 8A, 81 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 80ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IKW08T120FKSA1

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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