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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di FGY75N60SMD IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: FGY75N60SMD Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 600V 150A 750W POWER-247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di FGY75N60SMD

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 150A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 225A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 75A
Massimo elettrico 750W
Energia di commutazione 2.3mJ (sopra), 770µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 248nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 24ns/136ns
Condizione di prova 400V, 75A, 3 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 55ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3 ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore Potere - a 247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FGY75N60SMD

Rilevazione

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