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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKA03N120H2XKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IKA03N120H2XKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche IKA03N120H2XKSA1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 8.2A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 9A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.8V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 29W
Energia di commutazione 290µJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 8.6nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 9.2ns/281ns
Condizione di prova 800V, 3A, 82 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 52ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso Pacchetto completo TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO220-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IKA03N120H2XKSA1

Rilevazione

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