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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKP01N120H2XKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IKP01N120H2XKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche IKP01N120H2XKSA1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 3.2A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 3.5A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.8V @ 15V, 1A
Massimo elettrico 28W
Energia di commutazione 140µJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 8.6nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 13ns/370ns
Condizione di prova 800V, 1A, 241 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 83ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO220-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IKP01N120H2XKSA1

Rilevazione

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