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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IKW03N120H2FKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IKW03N120H2FKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche IKW03N120H2FKSA1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 9.6A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 9.9A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.8V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 62.5W
Energia di commutazione 290µJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 22nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 9.2ns/281ns
Condizione di prova 800V, 3A, 82 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 42ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IKW03N120H2FKSA1

Rilevazione

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