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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW40V60DF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGW40V60DF Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 80A 283W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di STGW40V60DF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 160A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.3V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 283W
Energia di commutazione 456µJ (sopra), 411µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 226nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 52ns/208ns
Condizione di prova 400V, 40A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 41ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGW40V60DF

Rilevazione

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