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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IGW25N120H3 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IGW25N120H3 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche IGW25N120H3

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 50A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 100A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 25A
Massimo elettrico 326W
Energia di commutazione 2.65mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 115nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 27ns/277ns
Condizione di prova 600V, 25A, 23 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IGW25N120H3

Rilevazione

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