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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT60GT60BRG IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT60GT60BRG Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 600V 100A 500W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: Colpo di fulmine IGBT®

Specifiche di APT60GT60BRG

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 100A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 360A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.5V @ 15V, 60A
Massimo elettrico 500W
Energia di commutazione 3.4mJ
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 275nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 26ns/395ns
Condizione di prova -
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247 [B]
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT60GT60BRG

Rilevazione

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