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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGFW20H65FB IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGFW20H65FB Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 650V 40A 52W TO3PF Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di STGFW20H65FB

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 40A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 80A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 52W
Energia di commutazione 77µJ (sopra), 170µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 120nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 30ns/139ns
Condizione di prova 400V, 20A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-3PFM, SC-93-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-3PF
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGFW20H65FB

Rilevazione

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