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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BC30KDPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRG4BC30KDPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 600V 28A 100W TO220AB Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRG4BC30KDPBF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 28A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 56A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 16A
Massimo elettrico 100W
Energia di commutazione 600µJ (sopra), 580µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 67nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 60ns/160ns
Condizione di prova 480V, 16A, 23 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 42ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRG4BC30KDPBF

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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