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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG4BH20K-SPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRG4BH20K-SPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRG4BH20K-SPBF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 11A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 22A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 4.3V @ 15V, 5A
Massimo elettrico 60W
Energia di commutazione 450µJ (sopra), 440µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 28nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 23ns/93ns
Condizione di prova 960V, 5A, 50 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di IRG4BH20K-SPBF

Rilevazione

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