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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRGB5B120KDPBF IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRGB5B120KDPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V 12A 89W TO220AB Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRGB5B120KDPBF

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 12A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 24A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3V @ 15V, 6A
Massimo elettrico 89W
Energia di commutazione 390µJ (sopra), 330µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 25nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 22ns/100ns
Condizione di prova 600V, 6A, 50 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 160ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-220-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRGB5B120KDPBF

Rilevazione

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