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Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW20N65R5XKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IHW20N65R5XKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 650V 40A 150W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche IHW20N65R5XKSA1

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 40A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 60A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.7V @ 15V, 20A
Massimo elettrico 150W
Energia di commutazione 300µJ (sopra), 70µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 97nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 24ns/250ns
Condizione di prova 400V, 10A, 20 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 68ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IHW20N65R5XKSA1

Rilevazione

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