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Dettagli:
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| Numero del pezzo: | STGD5H60DF | Produttore: | STMicroelectronics |
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| Descrizione: | PORTONE FIELD-STOP IGBT, H S DELLA FOSSA | Categoria: | Transistor - IGBTs - singoli |
| Famiglia: | Transistor - IGBTs - singoli |
| Stato della parte | Attivo |
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| Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 10A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 20A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 1.95V @ 15V, 5A |
| Massimo elettrico | 83W |
| Energia di commutazione | 56µJ (sopra), 78.5µJ (fuori) |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 43nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 30ns/140ns |
| Condizione di prova | 400V, 5A, 47 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 134.5ns |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | DPAK |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Persona di contatto: Darek
Telefono: +8615017926135
