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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT75GN60LDQ3G IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT75GN60LDQ3G Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di APT75GN60LDQ3G

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 155A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 225A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.85V @ 15V, 75A
Massimo elettrico 536W
Energia di commutazione 2500µJ (sopra), 2140µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 485nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 47ns/385ns
Condizione di prova 400V, 75A, 1 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-264 [L]
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT75GN60LDQ3G

Rilevazione

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