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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGWA60H65DFB IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGWA60H65DFB IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGWA60H65DFB IGBT singolo
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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGWA60H65DFB IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGWA60H65DFB IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGWA60H65DFB Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di STGWA60H65DFB

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 240A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 60A
Massimo elettrico 375W
Energia di commutazione 1.59mJ (sopra), 900µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 306nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 66ns/210ns
Condizione di prova 400V, 60A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247 lungamente conduce
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGWA60H65DFB

Rilevazione

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