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Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB30N135IHR1WG IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: NGTB30N135IHR1WG Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: IGBT 1350V 30A TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di NGTB30N135IHR1WG

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1350V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 60A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 120A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3V @ 15V, 30A
Massimo elettrico 394W
Energia di commutazione 630µA (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 220nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C -/200ns
Condizione di prova 600V, 30A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NGTB30N135IHR1WG

Rilevazione

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