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Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di HGTG11N120CND IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: HGTG11N120CND Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: IGBT 1200V 43A 298W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di HGTG11N120CND

Stato della parte Non per le nuove progettazioni
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 43A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 80A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 11A
Massimo elettrico 298W
Energia di commutazione 950µJ (sopra), 1.3mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 100nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 23ns/180ns
Condizione di prova 960V, 11A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 70ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di HGTG11N120CND

Rilevazione

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