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Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IHW40N65R5XKSA1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IHW40N65R5XKSA1 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 650V 80A 230W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: TrenchStop®

Specifiche IHW40N65R5XKSA1

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 120A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.7V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 230W
Energia di commutazione 630µJ (sopra), 140µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 193nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 30ns/258ns
Condizione di prova 400V, 20A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 90ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore PG-TO247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IHW40N65R5XKSA1

Rilevazione

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