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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD10HF60KD IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGD10HF60KD Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 10A DPAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: Automobilistico, AEC-Q101

Specifiche di STGD10HF60KD

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 18A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 30A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.75V @ 15V, 5A
Massimo elettrico 62.5W
Energia di commutazione 45µJ (sopra), 105µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 23nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 9.5ns/87ns
Condizione di prova 400V, 5A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 50ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63
Pacchetto del dispositivo del fornitore DPAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGD10HF60KD

Rilevazione

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