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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW10M65DF2 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW10M65DF2 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW10M65DF2 IGBT singolo
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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW10M65DF2 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW10M65DF2 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGW10M65DF2 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: SE DEL PORTONE FIELD-STOP IGBT M. DELLA FOSSA Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: M

Specifiche STGW10M65DF2

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 20A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 40A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 10A
Massimo elettrico 115W
Energia di commutazione 120µJ (sopra), 270µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 28nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 19ns/91ns
Condizione di prova 400V, 10A, 22 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 96ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STGW10M65DF2

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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