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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo
Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGD5NB120SZ-1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGD5NB120SZ-1 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 1200V 10A 75W IPAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: PowerMESH™

Specifiche STGD5NB120SZ-1

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 10A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 10A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 5A
Massimo elettrico 75W
Energia di commutazione 2.59mJ (sopra), 9mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone -
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 690ns/12.1µs
Condizione di prova 960V, 5A, 1 kOhm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore Io-Pak
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STGD5NB120SZ-1

Rilevazione

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