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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGDL6NC60DT4 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGDL6NC60DT4 IGBT singolo

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Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGDL6NC60DT4 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGDL6NC60DT4 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGDL6NC60DT4 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 600V 13A 50W DPAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli Serie: PowerMESH™

Specifiche STGDL6NC60DT4

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 13A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 25A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.9V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 50W
Energia di commutazione 46.5µJ (sopra), 23.5µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 12nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 6.7ns/46ns
Condizione di prova 390V, 3A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63
Pacchetto del dispositivo del fornitore D-Pak
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STGDL6NC60DT4

Rilevazione

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