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Dettagli:
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| Numero del pezzo: | SIHD12N50E-GE3 | Produttore: | Vishay Siliconix |
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| Descrizione: | MOSFET N-CHAN 500V DPAK | Categoria: | Transistor - FETs, MOSFETs - singoli |
| Famiglia: | Transistor - FETs, MOSFETs - singoli | Serie: | E |
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 550V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 10.5A (TC) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 4V @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 886pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 114W (TC) |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TUM) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Persona di contatto: Darek
Telefono: +8615017926135
