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PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

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PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Grande immagine :  PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Dettagli:
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

PHB32N06LT, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

descrizione
Numero del pezzo: PHB32N06LT, 118 Produttore: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: TrenchMOS™

PHB32N06LT, 118 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 34A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 17nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1280pF @ 25V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 97W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 37 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PHB32N06LT, 118 che imballano

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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