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PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

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PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Grande immagine :  PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

PSMN3R0-60PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

descrizione
Numero del pezzo: PSMN3R0-60PS, 127 Produttore: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

PSMN3R0-60PS, 127 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 130nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 8079pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 306W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 3 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220AB
Pacchetto/caso TO-220-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PSMN3R0-60PS, 127 che imballano

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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