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STI26NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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STI26NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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STI26NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Grande immagine :  STI26NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

STI26NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descrizione
Numero del pezzo: STI26NM60N Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: MDmesh™ II

STI26NM60N Specifications

Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
Vgs (Max) -
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package I2PAK
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

STI26NM60N Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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