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STU8N80K5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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STU8N80K5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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Grande immagine :  STU8N80K5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

STU8N80K5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descrizione
Numero del pezzo: STU8N80K5 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N CH 800V 6A IPAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: SuperMESH5™

STU8N80K5 Specifications

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-251
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

STU8N80K5 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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