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TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

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TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli
TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

Grande immagine :  TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

TK28A65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

descrizione
Numero del pezzo: TK28A65W, S5X Produttore: Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: DTMOSIV

TK28A65W, specifiche di S5X

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 650V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 27.6A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3.5V @ 1.6mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 3000pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 45W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220SIS
Pacchetto/caso TO-220-3 pacchetto completo, linguetta isolata
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

TK28A65W, imballaggio di S5X

Rilevazione

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