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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOK2500L singoli

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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOK2500L singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOK2500L singoli
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Grande immagine :  MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOK2500L singoli

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOK2500L singoli

descrizione
Numero del pezzo: AOK2500L Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

Specifiche di AOK2500L

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 150V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 14A (tum), 180A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 136nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 6460pF @ 75V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 3.1W (tum), 500W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 6,2 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Pacchetto/caso TO-247-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AOK2500L

Rilevazione

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