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FDP047AN08A0 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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FDP047AN08A0 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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Grande immagine :  FDP047AN08A0 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

FDP047AN08A0 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descrizione
Numero del pezzo: FDP047AN08A0 Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - singoli Serie: PowerTrench®

FDP047AN08A0 Specifications

Part Status Not For New Designs
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Package / Case TO-220-3
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDP047AN08A0 Packaging

Detection

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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