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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1009HR5

descrizione
Numero del pezzo: MMRF1009HR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MMRF1009HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.03GHz
Guadagno 19.7dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 200mA
Uscita elettrica 500W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT-957A
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780H-2L
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MMRF1009HR5

Rilevazione

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