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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo NPT2010

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo NPT2010

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo NPT2010

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo NPT2010

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo NPT2010

descrizione
Numero del pezzo: NPT2010 Produttore: Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione: HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche NPT2010

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 0Hz ~ 2.2GHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 48V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 600mA
Uscita elettrica 95W
Tensione - stimata 48V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare NPT2010

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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