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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MMRF1306HR5

descrizione
Numero del pezzo: MMRF1306HR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MMRF1306HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 230MHz
Guadagno 24dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 1250W
Tensione - stimata 133V
Pacchetto/caso SOT-979A
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230-4H
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MMRF1306HR5

Rilevazione

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