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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12250HR5

descrizione
Numero del pezzo: MRF6V12250HR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF6V12250HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.03GHz
Guadagno 20.3dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 275W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso NI-780
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6V12250HR5

Rilevazione

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