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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF878,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF878,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 89V 21DB SOT979A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF878,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.4A
Uscita elettrica 300W
Tensione - stimata 89V
Pacchetto/caso SOT-979A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF878,112

Rilevazione

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